交流阻断（或反偏）耐久性试验是在一定温度下，对半导体器件施加阻断（或反偏）
电压，按照规定的时间，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
一般情况下，此项试验是对器件在结温（Tjm ℃）和规定的 交流阻断电压或反向偏置
电压的两应力组合下，进行规定时间的 试验，并根据抽样理论和失效判定依据，确认
是否通过， 同时获取相关试验数据。
该系统符合 MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC 标准试验要求。可供
半导体器件配以适当的温度可控装置， 作交流阻断（或反偏）耐久性/ 筛选试验。能
满足 IGBT 进行高温反偏耐久性试验、高温漏电流测试（HTIR）和老炼筛选。 系统组成
漏电流保护回路
在每一试品试验回路中都配置有 0.1A 的保险丝，当试品在试验期内发 生劣化或突
然击穿或转折，保险丝将熔断，设备面板上的相应工位的 氖灯点亮示警，同时蜂鸣器
报警提示。
试验电压保护回路
试验电压由衰减板衰减取样后反馈到控制单元，通过峰保器输出与电 压设定值比
较，当试验电压高于电压保护设定值时，过压报警器响， 同时保护继电器动作切断高
压输出。
高压回路
由电源开关、控制继电器、自藕调压器、高压变压器、波形变换电路 组成，产生
规定的试验电压并通过组合高压线排，接入试品工位。
电特性参数测试回路
试验电压由电压取样回路，经采集、保持 电路送到设备的数字电压表显示；
试品漏电流对每一试品漏电流独立采样，通 过设备上的波段开关分别进行转 换，传送
到数字电流表显示。
